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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
12.3
14.7
写入速度,GB/s
8.9
10.7
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2935
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB RAM的比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
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