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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
10.1
15.5
写入速度,GB/s
7.1
7.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
2208
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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