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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
12.3
15.9
写入速度,GB/s
7.8
10.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
2240
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
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