RAM-Vergleich Kingston KF556C40-16 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Kingston KF556C40-16 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Gesamtnote

Kingston KF556C40-16 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF556C40-16 16GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

13.0 12.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

24 26

Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.6 14.9

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston KF556C40-16 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

3458 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns