Kingston KF556C40-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Kingston KF556C40-16 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

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Kingston KF556C40-16 16GB

Kingston KF556C40-16 16GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Différences

  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    13.0 left arrow 12.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    24 left arrow 26
    Autour de -8% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.6 left arrow 14.9
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingston KF556C40-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    26 left arrow 24
  • Vitesse de lecture, GB/s
    14.9 left arrow 15.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    13.0 left arrow 12.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    no data / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    3458 left arrow 2852
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons