Comparación de la memoria RAM Kingston KF556C40-16 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Kingston KF556C40-16 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Puntuación global

Kingston KF556C40-16 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Kingston KF556C40-16 16GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

13.0 12.1

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

24 26

En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.6 14.9

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Kingston KF556C40-16 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

no data / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3458 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns