Confronto tra le RAM Kingston KF556C40-16 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Kingston KF556C40-16 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Punteggio complessivo

Kingston KF556C40-16 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Kingston KF556C40-16 16GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

13.0 12.1

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 26

Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.6 14.9

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Kingston KF556C40-16 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

3458 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns