Porównanie pamięci RAM Kingston KF556C40-16 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Kingston KF556C40-16 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Wynik ogólny

Kingston KF556C40-16 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Kingston KF556C40-16 16GB

Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

24 26

Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

15.6 14.9

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston KF556C40-16 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

no data / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

3458 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns