Comparação RAM Kingston KF556C40-16 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Kingston KF556C40-16 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Pontuação geral

Kingston KF556C40-16 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Kingston KF556C40-16 16GB

Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

13.0 12.1

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

24 26

Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.6 14.9

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Kingston KF556C40-16 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

no data / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

3458 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns