RAM-Vergleich Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Inmos + 256MB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Inmos + 256MB

Gesamtnote

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.9 11.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.5 9.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 36

Rund um -20% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

16800 12800

Rund um 1.31 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Inmos + 256MB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2292 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns