Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Inmos + 256MB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Inmos + 256MB

Puntuación global
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Puntuación global
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 11.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 9.1
    Valor medio en las pruebas
Inmos + 256MB Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 36
    En -20% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    16800 left arrow 12800
    En 1.31 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Inmos + 256MB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    36 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 11.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 9.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 16800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2292 left arrow 2318
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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