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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Inmos + 256MB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Inmos + 256MB

総合得点
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

総合得点
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 11.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 9.1
    テスト平均値
Inmos + 256MB 考慮すべき理由
Inmos + 256MB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 36
    周辺 -20% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    16800 left arrow 12800
    周辺 1.31 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Inmos + 256MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 11.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 16800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2292 left arrow 2318

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAMの比較

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