Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Inmos + 256MB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Inmos + 256MB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    14.9 left arrow 11.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.5 left arrow 9.1
    Średnia wartość w badaniach
Inmos + 256MB Powody do rozważenia
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    30 left arrow 36
    Wokół strony -20% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    16800 left arrow 12800
    Wokół strony 1.31 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Inmos + 256MB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    36 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    14.9 left arrow 11.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.5 left arrow 9.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 16800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2292 left arrow 2318
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania