Comparaison de la RAM Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Inmos + 256MB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Inmos + 256MB

Note globale

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.9 11.5

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.5 9.1

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Inmos + 256MB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

30 36

Autour de -20% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

16800 12800

Autour de 1.31 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Inmos + 256MB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2292 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns