Comparación de la memoria RAM Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB vs Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB vs Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Puntuación global

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Razones a tener en cuenta
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

26 66

En -154% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

10.6 1,569.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

12800 6400

En 2 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

472 2602

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns