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Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB vs Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

総合得点
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Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

総合得点
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Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 12.5
    テスト平均値
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB 考慮すべき理由
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 66
    周辺 -154% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 1,569.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 6400
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    3,316.1 left arrow 12.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,569.0 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    472 left arrow 2602

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