RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB vs Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Wynik ogólny
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
66
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,569.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
6400
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
66
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,316.1
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,569.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
12800
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
472
2602
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link