Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB vs Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 12.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 66
    Wokół strony -154% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.6 left arrow 1,569.0
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    12800 left arrow 6400
    Wokół strony 2 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    66 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,316.1 left arrow 12.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,569.0 left arrow 10.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    472 left arrow 2602
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania