Confronto tra le RAM Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB vs Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB vs Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Punteggio complessivo

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Motivi da considerare
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

26 66

Intorno -154% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.6 1,569.0

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

12800 6400

Intorno 2 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

472 2602

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns