Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB против Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 66
    Около -154% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    10.6 left arrow 1,569.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 6400
    Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    66 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,316.1 left arrow 12.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,569.0 left arrow 10.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    472 left arrow 2602
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения