RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB против Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Средняя оценка
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
66
Около -154% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,569.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
6400
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR3
Задержка в PassMark, нс
66
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,316.1
12.5
Скорость записи, Гб/сек
1,569.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
12800
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
472
2602
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link