Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB vs Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

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Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

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Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 12.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    26 left arrow 66
    Autour de -154% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    10.6 left arrow 1,569.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    12800 left arrow 6400
    Autour de 2 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    66 left arrow 26
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,316.1 left arrow 12.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,569.0 left arrow 10.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    472 left arrow 2602
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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