Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Puntuación global
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Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    46 left arrow 63
    En 27% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    1,856.5 left arrow 1,519.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 3200
    En 2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    46 left arrow 63
  • Velocidad de lectura, GB/s
    2,909.8 left arrow 4,382.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,519.2 left arrow 1,856.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    3200 left arrow 6400
Other
  • Descripción
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    241 left arrow 772
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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