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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
63
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
1,856.5
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
6400
3200
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
46
63
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
4,382.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
1,856.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
6400
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
772
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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