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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
63
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,856.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
6400
3200
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
46
63
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
4,382.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
1,856.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
6400
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
772
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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