Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    46 left arrow 63
    Intorno 27% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    1,856.5 left arrow 1,519.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    6400 left arrow 3200
    Intorno 2 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    46 left arrow 63
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,909.8 left arrow 4,382.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,519.2 left arrow 1,856.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    3200 left arrow 6400
Other
  • Descrizione
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    241 left arrow 772
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