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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
63
Intorno 27% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
1,856.5
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
3200
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
46
63
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
4,382.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
1,856.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
6400
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
772
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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