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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB

総合得点
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
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Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 63
    周辺 27% 低遅延
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,856.5 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 3200
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 63
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 4,382.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 1,856.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 772

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