RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
63
Autour de 27% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
1,856.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
6400
3200
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
46
63
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
4,382.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
1,856.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
6400
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
772
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link