Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    46 left arrow 63
    Wokół strony 27% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    1,856.5 left arrow 1,519.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    6400 left arrow 3200
    Wokół strony 2 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    46 left arrow 63
  • Prędkość odczytu, GB/s
    2,909.8 left arrow 4,382.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,519.2 left arrow 1,856.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    3200 left arrow 6400
Other
  • Opis
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Taktowanie / szybkość zegara
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    241 left arrow 772
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania