RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
46
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
31
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2936
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link