RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2663
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link