RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3711
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link