Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB против Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB

Средняя оценка

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.8

Среднее значение в тестах

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

40 58

Около -45% меньшая задержка
Выше скорость записи

14.0 1,949.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 5300

Около 4.83 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 40
Скорость чтения, Гб/сек

4,463.9 16.8
Скорость записи, Гб/сек

1,949.3 14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 25600

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

803 3015

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB

Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB

Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB

Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Kingston 9905665-017.A00G 4GB

Kingston 9905665-017.A00G 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Kingston 9905702-007.A00G 8GB

Kingston 9905702-007.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Apacer Technology GD2.111881.002 4GB

Apacer Technology GD2.111881.002 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB

модули RAM