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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9965643-002.A01G 4GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
60
左右 -161% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
23
读取速度,GB/s
4,595.2
16.2
写入速度,GB/s
2,168.2
12.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2546
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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