RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
3,405.2
18.6
写入速度,GB/s
2,622.0
15.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3519
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link