RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
12.8
16.8
写入速度,GB/s
9.0
12.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2641
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link