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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
51
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
31
读取速度,GB/s
9.8
16.2
写入速度,GB/s
8.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3091
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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