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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
74
左右 -139% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
31
读取速度,GB/s
4,178.4
16.9
写入速度,GB/s
2,201.1
11.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3132
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
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