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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
74
左右 -155% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
29
读取速度,GB/s
4,178.4
19.2
写入速度,GB/s
2,201.1
15.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3400
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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