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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
72
左右 33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.9
4.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.6
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
72
读取速度,GB/s
8.9
9.6
写入速度,GB/s
5.9
4.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1438
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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