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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
44
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
22
读取速度,GB/s
12.3
18.1
写入速度,GB/s
7.8
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
3256
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
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