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Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
5.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
8500
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
31
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.8
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.1
7.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
12800
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1423
1920
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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