Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Gesamtnote
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Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 31
    Rund um -11% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.8 left arrow 8.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.9 left arrow 5.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 8500
    Rund um 1.51 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    31 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    8.8 left arrow 11.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.1 left arrow 7.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1423 left arrow 1920
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