RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
5.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
8500
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
31
28
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
11.8
Скорость записи, Гб/сек
5.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
12800
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1423
1920
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link