RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
5.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
8500
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
31
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
12800
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1423
1920
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 99P5471-048.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link