RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
5.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
8500
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
31
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
12800
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1423
1920
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link