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Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
5.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
8500
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
31
28
Velocidad de lectura, GB/s
8.8
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.1
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
12800
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1423
1920
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
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