Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Puntuación global
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Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 31
    En -11% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.8 left arrow 8.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.9 left arrow 5.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 8500
    En 1.51 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    31 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    8.8 left arrow 11.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.1 left arrow 7.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1423 left arrow 1920
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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