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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1668
3693
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
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