RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.1
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3693
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Teikon TMT451S6BFR8A-PBHC 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link