RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    18.1 left arrow 10.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    15.6 left arrow 7.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 8500
    Около 2.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.9 left arrow 18.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.1 left arrow 15.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1668 left arrow 3693

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
модули RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
модули RAM
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
модули RAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
модули RAM