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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
15.6
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1668
3693
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB RAM-Vergleiche
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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