RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

18.1 10.9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.6 7.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 8500

Rund um 2.51 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1668 3693

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns