RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1668
3693
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link