Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

18.1 10.9

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.6 7.1

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 8500

Intorno 2.51 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1668 3693

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns