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Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
27
读取速度,GB/s
14.5
18.7
写入速度,GB/s
9.2
17.8
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2509
3963
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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