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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
77
左右 -141% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
32
读取速度,GB/s
3,405.2
16.2
写入速度,GB/s
2,622.0
12.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3084
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
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Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
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