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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
11.8
16.5
写入速度,GB/s
7.3
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3274
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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